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        半導體載版

        封裝方式 傳統封裝 QFP、BGA) 晶圓級晶片尺寸封裝 Wafer Level CSP
        優點
        1. 技術成熟
        2. 製程穩定
        1. 尺寸小
        2. 成本低
        3. 簡化製程
        4. 可達Fine Pitch要求
        缺點
        1. 無法達到未來細間距要求
        2. 製程較複雜
        3. 完成的IC成本高
        I/O數少A(<100)

        WAFER LEVEL-CSP Flux鋼板規格設計 – 傳統型

        PAD Opening 位置

        • PAD Opening設計: X1: 上開口設計,X2=下開口設計 / X2 – X1 = 2~6um(可設計)
        • Stencil Thickness (MF) : MF : 20~100um(可設計)
        • Tension (N): 20~34N(可指定)

        WAFER LEVRL CSP - 植球鋼板規格設計

        • PAD開孔設計: X1 開口尺寸視Solder Ball尺寸 ; X3 – X2 = 2~6um(可設計)
        • Stencil Thickness (CT): CT:15~30um(可設計)
        • Metal Foil Thickness (MF1 & MF2) : MF1 : 80~130um(可設計) ; MF2:200~250um(Metal or Polymer)
        • Tension (N): 20~34N(可指定)

        電鑄版內壁比較圖

        Compared 日本Source Stencil and 正中電鑄版 Opening Dimension.

        正中電鑄版 had better performance than 日本Source.

        Compared 日本Source Stencil and 正中電鑄版 之 落錫量分析

        正中電鑄版 had better performance than 日本Source.

        Stencil Application and surface technology

        Surface Treatment

        Flux鋼板規格設計 – 正中Alpha StenSol (Design for Liquid Flux)

        PAD 位置開孔

        • PAD開孔設計: X1 開口尺寸視Flux下墨量決定尺寸 ; X3 – X2 = 2~6um(可設計)
        • Alpha Mesh Thickness (CT): CT:15~30um(可設計)
        • Metal Foil Thickness (MF) : MF : 20~100um(可設計)
        • Tension (N): 20~34N(可指定)

        半導體掃錫球電鑄版技術規範

        底層
        最大圖形設計 Biggest Design Size 6吋~12吋 晶圓
        材質:Material NiCo合金
        總長精度(%):Accumulate Accuracy: +/-0.01%L
        版厚區間(μm):Thickness Range 20~200
        版厚精度<圖形範圍內>(μm):Thickness Accuracy
        • 20~50μm(+/-3μm)
        • 51~100μm(+/-10μm)
        • 101~200μm(+/-20μm)
        最小開口孔徑(μm):Minimum Aperture 50μm
        最小開口間距(μm):Minimum Space 50μm
        開口精度(μm):Opening Aperture Accuracy
        • +/-3μm(版厚區間:20~50μm)
        • +/-5μm(版厚區間:51~100μm)
        • +/-5μm(版厚區間:101~200μm)
        寬厚比:Aspect Ratio ≦1:1.2
        架橋層
        材質:Material 高分子/NiCo合金
        單邊對位寬度(μm):Alignemnet Space: 30μm/side
        版厚精度(圖形範圍內):Thickness Accuracy
        • 高分子:+/-3μm
        • NiCo合金:+/-10μm
        最小架橋面積(μm):Minimum Support Area 40μm×40μm
        最小架橋寬度(μm):Minimum Spport Width 40μm×40μm
        成品
        寬厚比:Aspect Ratio ≦1:1.2
        張力(N):Tension 20~34

        正中電鑄加工+ 高分子膜 製程優點

        • 電鑄成形加工之鋼版,其累積誤差控制及膜厚較為精準。
        • 支撐點採高分子膜,其平坦度較佳,膜厚均勻度可控制在3μm以下。
        • 製程採電鑄製程,材質為鎳鈷合金,使用壽命較長。
        • 高分子膜面積平均佈滿,印刷時不會因單點硬度不均,造成被印物壓損。

        圖示說明

        • 高分子膜距開孔距X值為50~500μm(依產品設計而定)

        圖示說明

        • 高分子膜距開孔距X值為50~500μm(依產品設計而定)
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